Etude des propriétés optiques d'hétérostructures basées sur les semiconducteurs ZnSe, ZnSSe, ZnMgSSe élaborés par MOVPE
Author | : Claude Boemare |
Publisher | : |
Total Pages | : 276 |
Release | : 1996 |
ISBN-10 | : OCLC:1163677504 |
ISBN-13 | : |
Rating | : 4/5 (04 Downloads) |
Book excerpt: NOUS PRESENTONS UNE ANALYSE DETAILLEE DES PROPRIETES OPTIQUES D'HETEROSTRUCTURES REALISEE EN EPITAXIE PAR DEPOT D'ORGANOMETALLIQUE. LES ARCHITECTURES DE CES HETEROSTRUCTURES REALISEES A BASE DE MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS A GRANDS GAP VONT DE LA SIMPLE HETERO-EPITAXIE AUX SUPER RESEAUX EN PASSANT PAR LES PUITS QUANTIQUES. LE CONTROLE DE L'HOMOGENEITE DES DEPOTS EST MIS EN EVIDENCE A TRAVERS UNE APPROCHE ORIGINALE UTILISANT LA PHYSIQUE DES EXCITATIONS ELEMENTAIRES: NOUS METTONS EN EVIDENCE APRES UNE MODELISATION SEMICLASSIQUE DE LA REFLECTANCE AU VOISINAGE DES RESONANCES EXCITONIQUES, LA QUANTIFICATION DES MODES PHOTONS DU POLARITON. DANS LE CAS DES STRUCTURES A CONFINEMENT SPATIAL DES PORTEURS DE CHARGE, UN MODELE COMPLET FAISANT APPEL AUX MECANISMES THERMO-INDUIT DE PIEGEAGE ET D'ECHAPPEMENT DES PORTEURS DE CHARGES NOUS PERMET DE RENDRE COMPTE QUANTITATIVEMENT DES MECANISMES PHYSIQUE REGISSANT L'EMISSION DE LUMIERE DANS CES MATERIAUX