Développement et étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe verticaux sur substrats SOI minces
Author | : Grégory Avenier |
Publisher | : |
Total Pages | : 179 |
Release | : 2006 |
ISBN-10 | : OCLC:493243535 |
ISBN-13 | : |
Rating | : 4/5 (35 Downloads) |
Book excerpt: Les applications radio-fréquences nécessitent le développement de technologies BiCMOS sur SOI. Cette étude a pour objectif l'intégration d'un transistoir bipolaire dans une technolgie 0.13um sur substrat SOI. Le choix de l'architecture s'est porté sur une structure émetteur-base auto-alignée et un collecteur implanté. Les transistoirs fabriqués ont montré un comportement particulier résultant de la faible épaisseur du collecteur, localisé dans la couche supérieure du SOI. Ce fonctionnement atypique a pu être expliqué grâce à une étude de l'avalanche du collecteur. Une série d'optimisation a ainsi été proposée, grâce à la compréhension des mécanismes de désertion dans le collecteur, et un modèle compact a été développé à partir du modèle HiCUM, en adaptant la topologie du collecteur. Finalement, cette étude a donné lieu au développement d'une technologie BiCMOS complète intégrant des transistors MOS complémentaires et les transistors bipolaires issus de cette étude.