Architecture et conception d'un amplificateur de puissance large-bande pour des applications 4G/5G
Author | : Mohammed Saad Boutayeb |
Publisher | : |
Total Pages | : 0 |
Release | : 2020 |
ISBN-10 | : OCLC:1250250876 |
ISBN-13 | : |
Rating | : 4/5 (76 Downloads) |
Book excerpt: Avec l'arrivée de la 5G NR, les architectures des émetteurs-récepteurs des terminaux mobiles doivent intégrer plus de composants (filtres, amplificateurs de puissance...) afin d'adresser des bandes plus nombreuses et plus larges (notamment les bandes « sub-6 GHz ») en plus de traiter des signaux plus complexes. Ces nouvelles contraintes d'encombrement et de performances auxquelles doivent répondre les émetteurs-récepteurs ont un impact direct sur les spécifications techniques des amplificateurs de puissance (PA). D'une part il est nécessaire d'avoir des PA qui adressent des bandes plus larges afin de réduire le nombre de composants dans la chaîne d'émission ; d'autre part, ces PA doivent répondre aux critères de linéarité des nouveaux standards (LTE-A et 5G NR) tout en assurant une bonne efficacité énergétique de fonctionnement. Les travaux de cette thèse portent sur l'investigation d'architectures avancées de PA alliant largeur de bande, linéarité et efficacité énergétique.Le contexte et les motivations de la thèse énoncés, le choix de la technologie RF SOI 130nm et les contraintes auxquels doit répondre le PA sont justifiés. Une étude de l'état de l'art des architectures avancées (à efficacité améliorée) de PA permet de retenir l'architecture Doherty comme solution intéressante. Une étude théorique de l'architecture Doherty est effectuée afin de modéliser son fonctionnement, d'identifier l'impact des paramètres de dimensionnement et des capacités parasites du transistor sur les performances de celle-ci avant d'explorer les perspectives qu'elle présente en termes de largeur de bande. Un premier circuit démonstrateur a été implémenté en RF SOI 130nm. Il s'agit d'un étage amplificateur Doherty couvrant la bande 3,2-3,6 GHz. Pour un signal LTE 10MHz 50RB à une puissance de sortie de 27dBm, un ACLR maximal de -30,5 dBc et une PAE minimale de 36% a été mesurée sur toute la bande. Un deuxième circuit Doherty intégrant un étage de pré-amplification (driver) a été implémenté dans la même technologie. Les mesures pour un signal LTE 10MHz 12RB à 28 dBm de puissance de sortie donnent un ACLR maximal de -35 dBc et une PAE minimale de 32% sur toute la bande 3,2-3,8 GHz ce qui permet de couvrir les bandes B42, B43 et B49.