Conception, réalisation et caractérisation de composants de puissance hyperfréquence de la filière nitrure de gallium
Author | : Salim Touati |
Publisher | : |
Total Pages | : 207 |
Release | : 2007 |
ISBN-10 | : OCLC:494835747 |
ISBN-13 | : |
Rating | : 4/5 (47 Downloads) |
Book excerpt: Ce travail porte sur la conception, la fabrication et la caractérisation de transistors HEMTs de la filière AIGaN/GaN. Le but est d'optimiser la technologie du composant afin d'exploiter les potentialités en termes de puissance hyperfréquence offertes par la filière nitrure. Le premier chapitre passe en revue les différentes filières de transistors de puissance, puis les propriétés physiques du GaN et les techniques d'élaboration du matériau sur différents substrats. Nous discutons des effets liés à l' autoéchauffement ou aux pièges, qu'il convient de minimiser pour améliorer les performances des transistors HEMTs. Enfin, un état de l'art des performances actuelles est présenté. Le deuxième chapitre présente les étapes technologiques du composant ainsi que leurs optimisations nécessaires à l'amélioration des performances des transistors, telles que les contacts ohmiques et les traitements de surface.